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半导体器件及其制作方法以及CMOS图像传感器.pdfVIP

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  • 2023-05-27 发布于四川
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半导体器件及其制作方法以及CMOS图像传感器.pdf

    本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体层；第一二极管，位于所述半导体层中；所述第一二极管包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上；隔离结构，位于所述半导体层中，位于所述第一二极管的一侧；浮置区，位于所述半导体层中，且位于所述隔离结构上；所述浮置区的掺杂类型与所述第一掺杂区相同；缓冲区，位于所述浮置区与所述隔离结构之间，所述缓冲区的掺杂类型与所述浮置区的掺杂类型相反；其中，所述浮置区与所述第一掺杂区电隔离。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115911072 A (43)申请公布日 2023.04.04 (21)申请号 202310006625.8 (22)申请日 2023.01.04 (71)申请人 湖北江城芯片中试服务有限公司 地址

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