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- 约 8页
- 2023-05-27 发布于四川
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本发明公开了一种超级结绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法。所述晶体管结构包括第一导电类型的漂移区,所述漂移区内间隔分布有多个超级结区,其中,所述超级结区包括沿载流子的移动方向依次设置的第二导电类型的第一半导体、第一导电类型的第二半导体和第二导电类型的第三半导体,所述第二半导体至少用于与第一半导体形成势垒,而使流入超级结区的载流子积累在第一半导体中。本发明提供的超级结绝缘栅双极型晶体管结构,导通压降小,导通损耗低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116169159 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202111408640.2
(22)申请日 2021.11.24
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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