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本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111370483 A
(43)申请公布日
2020.07.03
(21)申请号 20201
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