三维存储器及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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三维存储器及其形成方法.pdf

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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底、堆叠结构、沟道孔、外延层、以及电荷存储层；形成第一处理层于所述电荷存储层的侧壁表面、并形成第二处理层于所述电荷存储层的底壁表面，所述第一处理层相对于所述第二处理层和所述电荷存储层均具有刻蚀选择性；去除所述第二处理层，暴露所述电荷存储层；去除所述沟道孔底部的所述电荷存储层，暴露所述外延层。本发明避免了对位于所述沟道孔侧壁上的所述电荷存储层的损伤，改善了三维存储器核心

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111403411 A (43)申请公布日 2020.07.10 (21)申请号 20201