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一种外延片及包含该外延片的发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-05-27 发布于四川
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一种外延片及包含该外延片的发光二极管.pdf

    本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种发光二极管的外延片，包括衬底，以及依次位于其上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层，在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部还设有AlxInyGa（1‑x‑y）N层，1≥x＞0，1＞y≥0。本发明在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部插入数层禁带宽度较大的ALN层增加电子减速效

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115986023 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211503468.3 (22)申请日 2022.11.29 (71)申请人 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 地址

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