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真空处理装置.pdfVIP

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    本发明涉及一种真空处理装置(1)，包括：上料系统(10)，构造成将基材(100)送入真空处理装置(1)中；设置在真空腔体(C)内的离子源系统(20)，包括前处理模块、离子注入模块(22)、多弧离子镀沉积模块(23)以及磁控溅射模块(24)，以对基材(100)进行处理；电源系统(30)，为离子源系统(20)中的各个模块提供电力；移动系统(40)，构造成移动基材(100)以使其经过离子源系统(20)中的各个模块；以及下料系统(50)，构造成从真空处理装置(1)取出处理后的基材(100)。这种真空处理

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112323034 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 20191

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