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实施方式提供一种将存储柱内的半导体层良好地连接的半导体存储装置及其制造方法。一实施方式的半导体存储装置具备：积层体，包含沿着第1方向积层的多个第1导电体层、及配置在所述多个第1导电体层的上方且沿着所述第1方向积层的多个第2导电体层；柱，在所述积层体内沿着所述第1方向延伸，且包含半导体层；以及电荷储存层，配置在所述多个第1导电体层与所述半导体层之间、及所述多个第2导电体层与所述半导体层之间。所述半导体层包含：第1部分，在所述多个第1导电体层中的最上层的第1导电体层与所述多个第2导电体层中的最下层的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310090 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20201
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