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三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构.pdf

    本发明涉及一种三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构，所述MOSFET结构位于外延衬底上，其源极沟槽下方有一区域，该区域内填满与外延反型的材料并借此扩散源扩散形成的P柱和外延来实现电荷平衡。该结构通过CVD工艺在沟槽内填充BSG材料，再经热过程使Boron自动扩散到沟槽外围的硅材料中形成P柱，改变BSG浓度和褪火温度可以有效调节P柱的高宽度及浓度，实现与N型外延层的电荷平衡。采用该SGTMOSFET结构及工艺结构，因其不需要在沟槽内生长更厚的屏蔽电极介质层，同时BSG具有良好的高温回流特性，具

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112349780 A (43)申请公布日 2021.02.09 (21)申请号 202011024231.8 (22)申请日 2020.09.25 (71)申请人 龙腾

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