1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种硒化锑晶体、其制备方法及应用.pdfVIP

  • 7
  • 0
  • 约1.43万字
  • 约 19页
  • 2023-05-28 发布于四川
  • 举报

一种硒化锑晶体、其制备方法及应用.pdf

    本发明公开一种硒化锑晶体、其制备方法及应用。本发明通过磁控溅射法制备硒化锑非晶预制层，硒化时将硒源和预制层分别置于双温区快速退火炉的两端，调节载气流量、硒化气压和双温区快速退火炉两端的升温程序，使硒化气压远低于硒源温度下单质硒的饱和蒸汽压，提高硒化时的硒通量，得到一个沿（hk0）取向生长的大晶粒硒化锑晶体。采用本发明的方法制备的硒化锑晶体沿（hk0）取向生长且具有较大的晶粒，有效避免了晶界和悬挂键对载流子传输的影响，提高了在特定方向上载流子的传输速率，能够有效提高光电化学产氢效率，在光电化学领域

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112376113 B (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202011167874.8 C25B 1/55 (2021.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >