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本发明提出一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法，属于神经形态计算中突触硬件技术领域。该方法采用铁电晶体管FeFET和PMOS构成突触电路；FeFET实现突触的可塑性和记忆特性，FeFET的栅端作为编程(或擦除)端口，源端偏置为抑制电压，漏端连接于PMOS的漏端，作为突触电压输出端；PMOS的源端作为前级神经元的脉冲输入端，栅端偏置在固定电源电压；当前级神经元传递电压输出时，PMOS和FeFET沟道电阻分压产生突触的兴奋型或抑制型的电压输出。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112381217 B
(45)授权公告日 2022.05.20
(21)申请号 202011228618.5 US 2011106742 A1,2011.05.05
(22)申
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