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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明公开了一种FDSOI的制造方法，包括如下步骤：步骤一，提供一FDSOI衬底结构，所述FDSOI衬底结构包含硬掩膜层、绝缘体上硅、埋层氧化层和硅衬底；所述埋层氧化层形成于硅衬底表面，所述绝缘体上硅形成于所述埋层氧化层表面，所述硬掩膜层形成于所述绝缘体上硅表面；步骤二，涂布光刻胶并显影，界定出混合区域；步骤三，刻蚀去除混合区域的硬掩膜层、绝缘体上硅，并横向去除绝缘体上硅形成沟槽；步骤四，刻蚀去除混合区域的埋层氧化层；步骤五，去除光刻胶及刻蚀残余物；步骤六，在所述混合区域外延生长硅。本发明实现F
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382605 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011251767.3
(22)申请日 2020.11.11
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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