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本发明公开了一种有源区制备方法和有源区结构，所述有源区制备方法包括获取设有浅沟槽的半导体衬底，其中，浅沟槽内设有沟槽氧化层和填充层；刻蚀去除部分填充层和部分沟槽氧化层，以露出浅沟槽的顶角；刻蚀浅沟槽的顶角，并使浅沟槽的顶角形成预设圆角；在预设圆角上重新敷设沟槽氧化层之后，在浅沟槽内重新形成填充层以形成有源区。本发明解决了使用现有方法形成的有源区实际效果不理想的问题，提高了影响了器件的性能和产品良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116169090 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202310208472.5
(22)申请日 2023.03.06
(71)申请人 上海积塔半导体有限公司
地址 2
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版权声明书
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