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PMOS的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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PMOS的制造方法.pdf

    本发明公开了一种PMOS的制造方法，包括：步骤一、在晶圆上形成PMOS的栅极结构，在栅极结构两侧形成嵌入式锗硅外延层；步骤二、测量晶圆上的所述T2G的片内分布；步骤三、根据T2G的片内分布设置应力记忆技术的热处理工艺的温度分布，利用热处理工艺的温度对沟道区的应力影响补偿T2G对所述沟道区的应力的影响，使晶圆上各区域的沟道区的应力的差异变小且都满足要求值；步骤四、按照设置的温度分布进行所述热处理工艺。本发明能实现对晶圆的PMOS产品进行及时动态调整，能提高产品的片内、片间以及批次间的饱和源漏电流的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382570 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011201682.4 (22)申请日 2020.11.02 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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