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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明公开了多层外延减压生长方法，涉及超级结型功率器件外延生长技术领域，包括如下步骤：A、减压外延生长设备的反应腔前处理；B、外延减压生长步骤；C、每重复步骤A、B3～5次后进行一次图形刻蚀步骤；D、图形刻蚀的后处理。减压外延工艺比普通外延工艺时间减少10％以上，设备产能提升可达30％以上，本申请所指减压外延工艺对图形的保形更好，可以减少超级结型功率器件两道光刻工艺，本申请所指减压外延低温工艺使wafer的翘曲改善，更利于后续工艺。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382560 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011264301.7
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 重庆万国半导体科技有限公司
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