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一种对称高压MOS器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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一种对称高压MOS器件及其制作方法.pdf

    本发明公开了一种对称高压MOS器件，涉及半导体技术领域，包括基层结构，基层结构顶面覆盖有第一Si3N4钝化层，第一Si3N4钝化层上覆盖有第二Si3N4钝化层，基层结构顶面左侧和右侧分别设置有穿出第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层源极金属和漏极金属；其中，第一Si3N4钝化层中央刻蚀有栅槽，源极金属和漏极金属关于栅槽对称设置，栅槽内淀积有Al2O3介质，Al2O3介质顶部延伸至第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间，Al2O3介质顶部中央插入有栅极金属，栅极金属顶部延伸至第一Si

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116169174 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202310115651.4 (22)申请日 20

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