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- 2023-05-28 发布于四川
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供待刻蚀层;在待刻蚀层上形成若干牺牲层,相邻的牺牲层之间至少具有一个第一槽以及第二槽;在牺牲层的侧壁和顶部表面和待刻蚀层的顶部表面形成第一侧墙;在第一侧墙表面形成第二侧墙,且第二侧墙填充满第一槽;对第二侧墙进行氧化处理以形成氧化层;去除氧化层,在第一槽内形成保留部;回刻蚀第一侧墙,直至暴露出待刻蚀层的顶部表面为止;去除牺牲层,在待刻蚀层上形成第一图形化结构;以第一图形化结构为掩膜刻蚀待刻蚀层形成鳍部。通过氧化处理使得第二侧墙被氧化形成的氧化层厚度保持均匀。以保证
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116169019 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202111417025.8
(22)申请日 2021.11.25
(71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限
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