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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明请求保护一种全MOS管的基准参考电路，包括启动电路、基准参考核心电路及电源抑制比提升电路等。本发明采用负反馈技术的电压调整器结构的电源抑制比提升电路为基准参考核心电路提供工作电源电压而不是外部电源VDD电压来提高基准参考电路输出电压的电源抑制比，基准参考核心电路采用MOS管阈值电压补偿技术来获得温度补偿的高性能参考电压，PMOS管MD1、PMOS管MD2、PMOS管MD3、PMOS管MD4及PMOS管MD5等均采用栅极与源极结构来补偿高温区的基准参考电路的漏电电流，从而实现一种全MOS管的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112379717 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 202011331994.7 (56)对比文件
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