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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明涉及金属电迁移测试结构，涉及半导体集成电路设计，包括顶层金属、底层金属、通孔阵列、测试电流输入端、接地端、第一测试端子以及第二测试端子，顶层金属与底层金属通过通孔阵列连接；测试电流输入端连接顶层金属，用于施加测试电流；底层金属连接接地端；测试电流输入端连接第一测试端子，接地端连接第二测试端子，通过量测第一测试端子和第二测试端子间的电压差而进行金属电迁移测试，其中通孔阵列内的通孔在通孔阵列的长度方向上沿对称线对称地设置，接地端设置于对称线上，且接地端也沿对称线对称设置，以使在测试电流输入端持
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112379245 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011251700.X
(22)申请日 2020.11.11
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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