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本发明提供一种高纯单相Bi12SiO20多晶的制备方法，包括如下步骤：(1)将Bi2O3和SiO2研磨混合，得到混合粉体；其中，Bi2O3和SiO2的摩尔比为(6～6.2)；(2)将混合粉体在1285℃保温1～2h，得到试样；(3)将试样于740～883℃保温2～6h，得到高纯单相Bi12SiO20多晶。本发明通过熔融冷却法成功制备单相Bi12SiO20晶体，熔融冷却法不需要昂贵的生产设备，对实现高纯单相Bi12SiO20多晶工业化量产具有重要意义。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112342622 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202011019543.X CN 102351202 A,2012.0
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