一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-28 发布于四川
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一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法.pdf

本发明公开一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次设置的衬底硅层、埋氧层和硅膜层；硅膜层的两端分别形成阱、漏极，并在阱与漏极之间形成超薄硅层漂移区；阱上具有源级、栅极，漂移区上具有场板；所述硅膜层的阱与漏极之间减薄形成顶部下凹的超薄漂移区；漂移区自阱至漏极方向的掺杂浓度线性递增，使得漂移区能够形成平缓横向电场分布，大幅提升了器件击穿电压；所述漂移区的厚度小于硅膜层两端的厚度。与现有的LDMOS相比，该晶体管结构简单，在具有高击穿电压的同时具有低的开启电压，易于与BCD工

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382656 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011270506.6 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人西安微电子技术研究所

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