模拟IC实验报告-MOS管基本特性测试等.docx

试验一 MOS 管根本特性测试 电路原理图： 测试 mos 管的输出特性： 测量的是一个 noms 的输出特性，noms 的参数为 w=1.5um,L=600nm. 横坐标为 Vdd 从 0—12V，纵坐标为漏极电流 ID; mos 管的转移特性曲线： thgs D横坐标表示输入电压V 从 0-5V 变化， 纵坐标表示的是漏极电流I 从转移特性曲线图可知，mos 管的导通电压 th gs D 转变 Vdd,做出一组转移特性曲线： gs D横坐标表示输入电压V 从 0-5V 变化， 纵坐标表示的是漏极电流 gs D 由上至下分别表是 Vdd =12V，Vdd =9.6V, Vdd =7.2V,