1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

SOI-LDMOS器件及其制作方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.44万字
  • 约 12页
  • 2023-05-28 发布于四川
  • 举报

SOI-LDMOS器件及其制作方法.pdf

    本申请提供了一种SOI‑LDMOS器件及其制作方法，该器件包括SOI衬底、有源区、至少一个第一导通结构以及第二导通结构，其中，SOI衬底包括依次设置的衬底、富陷阱层、埋层氧化层、顶硅层以及栅氧化层；有源区位于顶硅层中，有源区包括体区、体接触区以及源区，体接触区与源区相邻且均位于体区中；第一导通结构位于SOI衬底中，第一导通结构贯穿富陷阱层以及衬底；第二导通结构位于SOI衬底中，且与第一导通结构接触，第二导通结构贯穿栅氧化层、体区、埋层氧化层且与富陷阱层接触，第二导通结构位于体接触区的远离源区的一

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116169171 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202111417634.3 (22)申请日 2021.11.25 (71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司 地址

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >