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- 2023-05-29 发布于四川
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本发明公开了一种具有选择性记忆的人工视觉记忆器件及其制备方法和应用，人工视觉记忆器件包括：基底、PMMA层、有机半导体层、源极和漏极，所述PMMA层覆盖在所述基底上，所述有机半导体层覆盖在所述PMMA层上，所述源极和漏极间隔设置且均位于所述有机半导体层上，所述PMMA层的厚度为至少4nm。本发明的人工视觉记忆器件场效应性能好，光响应性能、光突触性能和光记忆性能好，重复性高，稳定性好，可以实现不同工作模式的转换，可以实现瞬时记忆、短期记忆和长期记忆三种模式。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115835653 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202211432907.6
(22)申请日 2022.11.16
(71)申请人 天津大学
地址 300072 天津
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