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- 2023-05-29 发布于四川
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本发明公开了一种栅极电压自动闭环调节的高压共源共栅结构，包括多个常开型半导体器件、雪崩二极管、N沟道耗尽型MOSFET、钳位二极管、电阻和电容等。单个常开型半导体器件驱动电路包含由一个N沟道耗尽型MOSFET、两个电阻和一个电容构成的栅极电压自动闭环调节电路，该闭环调节电路能够自动调节其栅极电压，使得多个常开型半导体器件共源共栅串联时栅极电压保持一致，且其栅极电压稳态值可以进行配置；保障各个器件驱动时的一致性、增强了驱动能力，且提升了共源共栅电路在串联级数和电压等级上的拓展能力。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115833805 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202211674025.0
(22)申请日 2022.12.26
(71)申请人 湖南大学
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