1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.72万字
  • 约 15页
  • 2023-05-29 发布于四川
  • 举报

一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法.pdf

    本发明公开了单晶薄膜技术领域的一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法，所述生长方法包括以下步骤：S1、提高光学浮区炉的加热温度；S2、陶瓷料棒的制备：称量→混料→搅拌→烘干→制作料棒→抽气→等静压→烧结；S3、晶体生长：对直→对接→缩颈→扩肩→等径→收尾；S4、晶体加工：退火→切割→抛光；本发明中HfO2作为一种高介电常数材料可替代目前硅基集成电路的核心器件的栅极绝缘层二氧化硅，实现最小化有效电容厚度；加入氧化镨、氧化镥可以稳定氧化铪晶体，具有很好的结构稳定性；由于氧化铪的熔点极高，用一

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115821387 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211701832.7 (22)申请日 2022.12.29 (71)申请人 广西大学 地址 530004 广

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >