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钙钛矿发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-29 发布于四川
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钙钛矿发光二极管及其制备方法.pdf

    本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，该钙钛矿发光二极管包括：衬底；透明导电电极，设置于衬底上；有机空穴传输层，设置在透明导电电极上，并覆盖透明导电电极的部分区域，使透明导电电极的另一部分区域露出；二维钙钛矿空穴传输层，覆盖于有机空穴传输层上；间隔层，覆盖于二维钙钛矿空穴传输层上；钙钛矿发光层，覆盖于间隔层上；电子传输层，覆盖于钙钛矿发光层上；金属导电电极，覆盖于电子传输层上，包括N个间隔设置的电极单元，N为正整数。本发明以二维钙钛矿代替传统有机空穴传输层作为

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115835674 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211697423.4 H10K 71/60 (2023.01) (22)申请日 2022.12.

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