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- 2023-05-29 发布于四川
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一种半导体装置，包括：基底30；第一FET10n，其中，层压各自包括具有纳米线结构12n的沟道部分13n、栅极绝缘膜14、栅极电极27n的至少两个沟道结构11n；以及第二FET20n，包括沟道形成层23n、栅极绝缘层24以及栅极电极27n；其中，第一FET10n和第二FET20n形成在基底30的上方；第一FET10n的沟道部分13n在沟道结构11n的层压方向上彼此隔开；并且其中，第一FET10n的沟道部分13n与沟道部分13n之间的距离由L1表示，并且第二FET20n的栅极绝缘层2
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112437978 A
(43)申请公布日 2021.03.02
(21)申请号 201980048314.X (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限
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