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本发明提供了一种横向调制KDP型电光Q开关，其特征在于：将两块相同的KDP型晶体组合，所述KDP型晶体切型为，其中x、z代表KDP型晶体的各晶轴，l、b分别代表切割晶体的长度和宽度方向，角度θ的取值范围为，所述KDP型晶体的长度方向为通光方向、厚度方向为加电场方向。本发明电光Q开关的半波电压可调，开关形状和电极均易制备，电场更加均匀，因而消光比更高，并且本发明电光Q开关的自然双折射及其受温度的影响更小，对匹配用两晶体的长度偏差、温度偏差等要求更低，容许范围更大，更加实用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112421372 B
(45)授权公告日 2022.03.18
(21)申请号 202011598774.0 (56)对比文件
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