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具有p反射电极的倒装Micro-LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-29 发布于四川
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具有p反射电极的倒装Micro-LED芯片及其制备方法.pdf

    本申请公开了具有p反射电极的倒装Micro‑LED芯片及其制备方法。本方案中，采用透明导电层作为p反射电极与p型氮化镓层之间的接触层，并且通过快速热退火工艺使ITO透明导电层与p型氮化镓之间形成良好的欧姆接触，再沉积具有高反射率的金属材料作为p反射电极，将在多量子阱有源区中产生的向电极方向传播的光反射回去，从而提高倒装Micro‑LED芯片的光输出功率。同时为了抑制金属银或者金属铝在芯片制备过程以及使用过程中的由于扩散团簇以及氧化所导致的反射率退化情况，采用具有较大张应力的金属材料作为阻挡层，将

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832144 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211602087.0 (22)申请日 2022.12.13 (71)申请人 武汉大学 地址 430072 湖

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