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本发明提供了形成半导体封装件的方法及半导体封装件，方法包括：提供半导体器件，半导体器件至少包括：半导体晶圆和位于半导体晶圆上方的至少两个金属焊盘；在半导体器件的上方形成晶种层；在晶种层的上方形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层中形成第一开口，其中，第一开口位于第一金属焊盘的至少一部分的正上方；在第一开口中形成第一高度的第一金属部件；去除第一光刻胶层；在晶种层之上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层中形成第二开口，其中，第二开口位于第二金属焊盘的至少一部分的正上方；在第二开口中形成第二高度的第二金属部件；
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112420534 B
(45)授权公告日 2021.11.23
(21)申请号 202011359779.8 审查员 韩增智
(22)申请日 2020.11.27
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