半导体中杂质和缺陷能级.pptVIP

这时， 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （3）强电离区： 注：强电离与弱电离的区分： 决定杂质电离因素： 1、杂质电离能； 2、杂质浓度。 3、温度 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 特征：1、杂质完全电离 nD+=ND 2、本征激发不以忽略。 3、导带电子主要由电离杂质和本征激发共同提供。 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可简化为 n0=ND+p0 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （4）过渡区： 代入 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （4）过渡区： 讨论： 显然： ，过渡区接近于强电离区。 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （4）、过渡区： 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （4）过渡区： 特征：1、杂质完全电离 nD+=ND 2、本征激发提供的载流子远大于 3、杂质电离的载流子 ni ND 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可简化为 N0=p0 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （5）高温本征激发区： 1. 低温弱电离区 n型Si中Ef与温度T的关系总结： 4. 本征激发区 3. 过渡区 2. 饱和电离区 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 n型Si中电子浓度n与温度T的关系总结： 杂质离化区 过渡区 本征激发区 3.4 杂质半导体中载流子统计 3.4 杂质半导体中载流子统计 3.4.1 非补偿情形（单一掺杂） 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.6 简并半导体 3.6.1 简并的出现 3.5 简并半导体 3.6.2 简并半导体的载流子浓度 3.5 简并半导体 3.6.3 简并化条件 3.5 简并半导体 3.6.3 简并化条件 3.5 简并半导体 3.6.3 简并化条件 3.5 简并半导体 3.6.4 简并时杂质的电离 3.5 简并半导体 导带 Eg 施主能级 价带 施主能带 本征导带 简并导带 能带边沿尾部 Eg Eg′ 价带 简并 → △ED→0，Eg→Eg＇ 杂质带导电  禁带宽度变窄效应 谢谢！ Thanks ！ Next：第4章 半导体的导电性 大家做好预习！ * 3.1状（能）态密度 3.1.2状（能）态密度的定义 3.1状（能）态密度 3.1.2状（能）态密度的定义 3.1状（能）态密度 3.1.2状（能）态密度的定义 3.1状（能）态密度 3.1.2状（能）态密度的定义 3.1状（能）态密度 3.1.2状（能）态密度的定义 3.1状（能）态密度 3.1.2状（能）态密度的定义 3.1状（能）态密度 3.1.3状（能）态密度的汇总 3.1状（能）态密度 3.1.3状（能）态密度的汇总 热平衡状态 在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。 半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。 半导体的导电性受温度影响剧烈。 3.2 费米气体和载流子的统计分布 3.2.1 费米能级(f(E)) 3.2 费米气体和载流子的统计分布 3.2.1 费米能级(f(E)) 3.2 费米气体和载流子的统计分布 3.2.1 费米能级(f(E)) 3.2 费米气体和载流子的统计分布 3.2.2 导带电子和价带空穴浓度 3.2 费米气体和载流子的统计分布 3.2.2 导带电子和价带空穴浓度 3.2 费米气体和载流子的统计分布 3.2.2 导带电子和价带空穴浓度 3.2 费米气体和载流子的统计分布 3.2.2 导带电子和价带空穴浓度 3.2 费米气体和载流子的统计分布 3.2.2 导带电子和价带空穴浓度 3.3 本征半导体中载流子统计 3.3.1 本征载流子浓度 3.3 本征半导体中载流子统计 3.3.1 本征载流子浓度 3.3 本征半导体中载