一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件.pdf

本发明属于功率LDMOS器件领域，提供一种采用全环绕电荷补偿的SOI‑LDMOS器件，用以改善器件击穿电压和比导通电阻之间的矛盾关系，提升SOI‑LDMOS的Baliga优值，同时提高器件的抗电荷偏离能力，提升鲁棒性。本发明中HK层和鳍状P型变掺杂区对鳍状N型漂移区构成全环绕的电荷补偿；P型变掺杂区与N型漂移区彼此耗尽，在纵向上形成变化的电场分布，降低器件表面电场强度，构成双重RESURF，且提高器件耐压特性；同时，HK层对N型漂移区构成三面的电荷补偿，使N型漂移区表面得到增强RESURF效应，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832050 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211436755.7 (22)申请日 2022.11.16 (71)申请人电子科技大学

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