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- 2023-05-29 发布于四川
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本公开提供了一种半导体装置，其包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型埋层以及设置在N型埋层上的LDMOS器件。LDMOS器件包括：N型源接触区和与N型源接触区邻接的P型体接触区；源电极，设置在N型源接触区和P型体接触区上；N型漏接触区；漏电极，设置在N型漏接触区上；栅介质，从N型源接触区的上表面延伸到N型漏接触区的上表面并且邻接漏电极；半导体层，设置在栅介质上，半导体层的边缘与栅介质的边缘对准，半导体层包括在靠近源电极的一侧形成的栅接触区；以及栅电极，设置在栅接触区上，半导体层具有使栅介质暴露的开
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115832011 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202211622976.3
(22)申请日 2022.12.16
(71)申请人 联合微电子中心有限责任公司
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