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本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。将缓冲层包括第一子层与第二子层,第一子层起到过渡作用。层叠在第一子层上的第二子层包括有交替层叠的第二GaN层和BGaN层,一方面缓解晶格失配,并为后续外延结构的生长提供一个良好的基础,而BGaN层由于B原子体积较小,可以插入或填充位错造成的空白位置,减少缓冲层内部所存在的缺陷,且B原子可以起到一定的定位作用,避免位错继续移动至n型GaN层与多量子阱层中,有效提高最终得到的发光二极管外延片的晶体质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112397622 B
(45)授权公告日 2021.04.27
(21)申请号 202110072179.1 H01L 33/32 (2010.01)
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