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极紫外光刻光源掩模优化方法.pdfVIP

极紫外光刻光源掩模优化方法.pdf

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    一种极紫外光刻光源掩模优化方法，采用像素表征光源和掩模图形，通过点脉冲修正的厚掩模成像模型计算光刻胶像，以光刻胶图形和目标图形之间的图形误差作为评价函数，采用基于社会学习机制的粒子群算法(SLPSO)优化光源分布和掩模图形。本发明利用极紫外光刻厚掩模成像模型建立评价函数，提高了优化过程中成像计算的精度。另外，利用SLPSO算法有效提高了优化效率和寻优能力，提高了成像质量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112394615 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011279713.8 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人 中国科学院上海光学精密机械研究

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