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一种浅回扫的双向TVS结构.pdfVIP

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  • 2023-05-29 发布于四川
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一种浅回扫的双向TVS结构.pdf

    本发明涉及静电防护和浪涌抑制技术领域，特别涉及一种浅回扫的双向TVS结构，该双向TVS结构包括：衬底层，衬底层为P类型轻掺杂Si材料，即P型衬底；Nwell1区，形成于P型衬底上，导电类型为N型；Nwell2区，形成于P型衬底上，导电类型为N型；N1区，形成于Nwell1区中，导电类型为N型；P1区，形成于Nwell1区中，导电类型为P型；N2区，形成于Nwell2区中，导电类型为N型；P2区，形成于Nwell2区中，导电类型为P型；介质层，形成于P型衬底的上表面；金属电极层，通过金属布线实现P

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832010 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211580036.2 (22)申请日 2022.12.09 (71)申请人 无锡中微晶园电子有限公司 地址 2

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