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- 2023-05-29 发布于四川
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本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，[在式(1)中，A1表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112437901 A
(43)申请公布日 2021.03.02
(21)申请号 201980048330.9 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所
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