一种GaAs基LED晶片GaP粗糙表面的制作方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种GaAs基LED晶片GaP粗糙表面的制作方法.pdf

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本发明公开了一种GaAs基LED晶片GaP粗糙表面的制作方法，首先进行晶片外延层的制备，随即在外延层的GaP窗口层上进行粗化腐蚀，利用表面活性剂将光刻胶、粗化腐蚀液溶解在一起，形成具有粗化腐蚀效果的腐蚀溶胶，再将腐蚀溶胶涂覆在GaP窗口层表面，在40‑60℃温度下恒温烘烤，再利用丙酮等溶剂去除腐蚀膜层和二氧化硅层，继续制备得到独立管芯；本发明设计的工艺方法简单易操作，不需要引入特殊设备，利用较低的成本，外延层表面的粗化腐蚀更加均匀，腐蚀可控性较高，粗化效果好，解决了目前使用溶液进行粗化腐蚀较难控

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112397624 B (45)授权公告日 2021.12.07 (21)申请号 201910758889.2 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日

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