存储器内计算、高密度阵列.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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本公开涉及存储器内计算、高密度阵列。一种进行存储器内计算操作的存储器单元，包括一对交叉耦合的反相器和用于选择性地进行与一对交叉耦合的反相器的逻辑状态相关联的读/写/保持操作的一对晶体管。存储器单元还包括栅极耦合到一对交叉耦合的反相器并关于一对交叉耦合的反相器对称布置的一组晶体管。该存储器单元的输出节点位于该组晶体管的端子处，并且基于一对交叉耦合的反相器以及设置在该组晶体管的对之间的输入节点的逻辑状态来提供输出。可生成具有能够进行存储器内计算操作的高密度布置存储器单元的存储器单元阵列。存储器单元可

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112435700 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202010861507.1 (22)申请日 2020.08.25 (30)优先权数据 62/891,69