1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

IGBT器件.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.44万字
  • 约 15页
  • 2023-05-29 发布于四川
  • 举报

IGBT器件.pdf

    本发明公开了一种IGBT器件包括：多个第一沟槽栅，包括填充于第一栅极沟槽中的第一栅介质层和第一栅极导电材料层，第一栅极导电材料层连接到栅极。在版图结构上，各第一栅极沟槽平行排列。在至少一条第一栅极沟槽上设置有米勒电容连续调节结构，包括：第二沟槽栅，第二沟槽栅包括填充于第二栅极沟槽中的第二栅介质层和第二栅极导电材料层。第二栅极沟槽和对应的第一栅极沟槽相交，第二和第一栅极沟槽相连通，第二和第一栅极导电材料层电连接；利用第二和第一栅极沟槽相交的特点，第二栅极沟槽的长度、间距和数量都独立于第一栅极沟槽，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832031 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211434920.5 (22)申请日 2022.11.16 (71)申请人 上海擎茂微电子科技有限公司 地址

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >