硅光电倍增管的PDE和Pct空间二维分布的测量方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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硅光电倍增管的PDE和Pct空间二维分布的测量方法.pdf

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本发明公开的硅光电倍增管的PDE和Pct空间二维分布的测量方法，包括将硅光电倍增管放在电磁屏蔽盒内，装在纳米位移台上；皮秒脉冲激光驱动器使激光头照射皮秒激光束，通过显微镜中针孔透光片使皮秒激光束在硅光电倍增管的表面聚焦成光斑；通过稳压电源向硅光电倍增管供电，输出的雪崩脉冲信号先经过高速低噪声放大器进行信号放大，再输入数字示波器来观察雪崩脉冲波形；控制纳米位移台移动，每个位置通过不同光子等效阈值下的总脉冲计数率和本底计数率计算一组PDE和Pct，最终通过多组PDE和Pct数据绘制空间二维分布图。本

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112433137 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202011248622.8 (22)申请日 2020.11.10 (71)申请人西安工程大学地址