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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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半导体装置.pdf

    提供能抑制边缘终端区处的破坏的半导体装置(600)，具备供主电流流通的有源区(150)；包围有源区的周围的栅极环区(160)；包围栅极环区的周围的源极环区(170)；包围源极环区的周围的终端区(168)。有源区具有第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层(6)；第一导电型的第一半导体区(7)；栅极绝缘膜(9)；第一栅电极(10a)；层间绝缘膜(11)；第一个第一电极(12a)；第一镀膜(14a)；第二电极(13)。源极环区具有半导体基板；第一半导体层；第二半导体

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466923 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202010721417.2 (22)申请日 2020.07.24 (30)优先权数据 2019-1625

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