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一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法.pdf

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    本发明为提供一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法。包括以下步骤：S1、利用酸性溶液去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；S2、将清洗后的硅片通过物理气相沉积技术沉积铝膜；S3、在沉积铝膜后的硅片表面沉积一层PSG，并进行一系列退火处理；S4、将处理后的硅片用溶剂去除表面反应层和杂质；再将处理过的硅片进行表面制绒；S5、将处理后的硅片进行非晶硅镀膜；S6、在非晶硅薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；S7、在硅片两面的透明导电膜层上形成栅线电极，从而完成异质结电池片的制作流程。本发明所述工艺加工的铸

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112436063 B (45)授权公告日 2022.07.15 (21)申请号 202011271814.0 H01L 31/072 (2012.01)

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