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2023-05-30 发布于四川
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半导体存储装置.pdf

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本发明的实施方式提供一种能够改善良率的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：衬底(SUB)、第1导电体层(62)、及第1绝缘体层(55)。衬底(20)包括：包含存储胞的第1区域(MR)、包含控制存储胞的电路的第2区域(PR)、及将第1区域(MR)与所述第2区域(PR)分开的第3区域(BR)。第1导电体层(62)在第2区域(PR)内设置于衬底(20)的上方。第1绝缘体层(55)包括：在第2区域(PR)内设置于第1导电体层(62)的上方的第1部分、及在第3区域(BR)内与衬底(20)的表面接

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447744 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20201