原创力文档- 13
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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明揭示了一种双向ESD保护电路，接设于芯片供电端的引脚PIN与接地端的引脚GND之间，由二极管D1、PMOS管MP1~MP5、电阻R1相接构成，其中PMOS管MP1、MP2的漏极、MP4的栅极与引脚PIN相连接，MP4的源极、漏极与MP2的栅极共连相接，PMOS管MP1的源极、MP3的漏极、MP5的栅极与二极管D1的阴极相接于节点Vminus，MP5的源极、漏极与MP3的栅极共连相接，二极管D1的阳极与引脚GND相接于地，且PMOS管MP2、MP3的共源极和所有PMOS管的衬底均相接于节点V
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112448380 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202011546107.8 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.24
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