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用于纳米线的选择性蚀刻.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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用于纳米线的选择性蚀刻.pdf

    提供了一种在堆叠件中相对于硅选择性地蚀刻硅锗的方法，该堆叠件位于蚀刻室中的卡盘上。将该卡盘维持在15℃以下的温度。将该堆叠件暴露于包含含氟气体的蚀刻气体，以相对于硅选择性地蚀刻硅锗。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112470258 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 201980048517.9 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263

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