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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明公开了一种图像传感器及其形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和背面；自半导体衬底正面对半导体衬底进行离子注入，分别形成第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和第三离子掺杂区共同形成图像传感器的感光单元；所述第二离子掺杂区位于所述第一离子掺杂区下方；所述第三离子掺杂区至少部分包围所述第一离子掺杂区。本发明的技术方案通过磷和砷共同对半导体衬底进行N型离子注入，可以减少磷扩散到底部导致底部面上钉扎不足引起的WP增加；既保证了FWC不会降低，又避免侧面隔离区钉扎不足引起WP增加；同时没
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115810639 A
(43)申请公布日 2023.03.17
(21)申请号 202111067352.5
(22)申请日 2021.09.13
(71)申请人 格科微电子（上海）有限公司
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