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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成多个有源区、位于相邻所述有源区之间的沟槽、以及位于所述有源区下方的空气隙；形成至少填充所述沟槽的填充层。本发明有效阻挡了来自于底部的电子对有源区的干扰，降低了所述半导体结构工作过程中相邻有源区之间的干扰作用，减轻了行锤击效应的影响，改善了半导体结构的良率及性能可靠性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115810577 A (43)申请公布日 2023.03.17 (21)申请号 202111067349.3 (22)申请日 2021.09.13 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230

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