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本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，碳化硅生长装置包括：炉体，炉体包括有反应腔；加热装置用于对反应腔加热；夹持组件，夹持组件包括多个籽晶夹持部，籽晶夹持部设在反应腔内并用于夹持籽晶；旋转驱动组件，旋转驱动组件包括多个第一旋转驱动部，第一旋转驱动部通过第一连接件与籽晶夹持部相连，且每个第一旋转驱动部均可独立驱动籽晶夹持部绕其所夹持的籽晶的中心轴线转动，且各所述籽晶(101)的旋转方向相同以使靠近相邻的两个所述籽晶之间的气体流动方向相反。由此，可以实现生长晶体边缘温度均匀化，在碳化硅粉和籽晶的表面之
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114108093 A
(43)申请公布日 2022.03.01
(21)申请号 202111442302.0
(22)申请日 2021.11.30
(71)申请人 江苏集芯半导体硅材料研究院有限
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