原创力文档- 11
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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明揭示具有经改进电阻率控制的用于形成单晶硅锭的方法。所述方法涉及样品棒的生长及电阻率测量。所述样品棒可具有小于产品锭的直径的直径。可通过使电阻率探针与形成在所述样品棒上的平坦片段接触而直接测量所述样品棒的电阻率。可在测量所述电阻率之前在热供体消除循环中使所述样品棒退火。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112469850 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 201980043704.8 李衡敏 李荣中
(22)申请日 2019.06
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